+7(495)532-60-27
elctore@mail.ru

Диодные мосты модули

Диодные мосты модули

IGBT модули

Модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) состоит из одного или нескольких IGBT и используется во многих типах промышленного оборудования из-за его высокой надежности. 
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) представляют собой нечто среднее между транзисторами с биполярным переходом (BJT) и МОП транзисторами. 
Они чрезвычайно эффективны, и с очень быстрым переключением имеют характеристики высокого тока и низкого напряжения насыщения.
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - это трех полюсное полупроводниковое устройство, используемое в качестве переключающего элемента в силовых преобразователях и приводах с регулируемой скоростью при отключении или пропускании мощности. 
IGBT транзисторы управляются структурой затвора с металловидным полупроводником.
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) широко используются для переключения электропитания 
в таких приложениях, как инверторы, сварка, двигатели, кондиционеры, поезда и источники бесперебойного питания.
Высокоскоростной IGBT-модуль - это продукт, подходящий для применений с частотами переключения от 20 кГц до 50 кГц, таких, как источники питания для медицинского оборудования, сварочные аппараты и индукционный нагрев. 

Они включают модуль усиления прерывателя и полу мостовой модуль.

Модули IGBT имеют различные конфигурации, такие как двойной, 3-уровневый, бустерный, общий эмиттер, одиночный переключатель, шести пакетный, прерыватель, PIM, трехфазный входной выпрямитель PIM, двенадцать контейнеров и четыре контейнера и диод.
Показать все описание
5IXFC30N60P MOSFET транзистор, 600В, 15А, 0,25Ом
CLA100PD1200NA Тиристор-диодный модуль, 1200В, 100А
CLA30E1200HB Тиристор, 1200В, 30А
CLA30E1200PB Тиристор, 1200В, 30А
CLA30E1200PC Тиристор, 1200В, 30А
CLA50E1200HB Тиристор, 1200В, 50А
CLA50E1200HB Тиристор, 1200В, 50А-foto2
CLA50E1200HB Тиристор, 1200В, 50А-foto3
CLA50E1200TC Тиристор, 1200В, 50А
CLA5E1200UC Тиристор, 1200В, 5А
CLA60PD1200NA Тиристор-диодный модуль, 1200В, 60А
CLA80E1200HF Тиристор, 1200В, 80А
CMA30E1600PB Тиристор, 1600В, 30А
CMA30E1600PN Тиристор, 1600В, 30А
CMA80PD1600NA Тиристор-диодный модуль, 1600В, 80А
CS19-08ho1 Тиристор, 800В, 19А
CS19-08ho1S Тиристор, 800В, 19А

CS19-08ho1S Тиристор, 800В, 19А...

108.11 р.

CS19-12ho1 Тиристор, 1200В, 19А

CS19-12ho1 Тиристор, 1200В, 19А...

103.79 р.

CS19-12ho1S Тиристор, 1200В, 19А
CS20

CS20

2 007.99 р.

CS20-12io1 Тиристор, 1200В, 19А

CS20-12io1 Тиристор, 1200В, 19А...

252.27 р.

CS20-14io1 Тиристор, 1400В, 19А

CS20-14io1 Тиристор, 1400В, 19А...

263.79 р.

Показано с 1 по 20 из 2172 (всего 109 страниц)


Подписка на новости:

Нажимая на кнопку «Подписаться», я даю cогласие на обработку персональных данных.

Новости

Четырехканальный H-мостовой драйвер L293x

15.09.2019

1. ФункцииШирокий диапазон напряжения питания от 4.5 В до 36 ВОтдельный вход источника пит..

Tc4s инструкция настройка

15.09.2019

РУКОВОДСТВО ПО ЭКСПЛУАТАЦИИ Вых. сигнализации 1 250В~, 1 А, 1a Вых. сигнализации 2 250В~,..

LM78XX / LM78XXA 3-х выводной 1 А положительный стабилизатор напряжения

15.09.2019

Выходной ток до 1 АВыходные напряжения: 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 24 ВТепловая защита от пере..

BTS 5242-2L Интеллектуальный силовой переключатель верхнего плеча, Двухканальный, 25 мОм

15.09.2019

Силовой транзистор построен на N-канальном силовом (полевом) МОП-транзисторе с вертикальной стр..